Покрытия для гибридной микроэлектроники

В гибридной микроэлектронике PVD-покрытия используются для формирования функциональных элементов (резисторов,
проводников, конденсаторов) гибридных интегральных схем (ГИС).

Функциональные тонкопленочные покрытия (толщиной 1-10мкм) формируют пассивную часть микросхемы непосредственно на подложке, в качестве которой используются диэлектрические материалы (ситалл, поликор). При этом формируются слои различного функционального назначения:

• Электропроводные: используются металлы с высокой проводимостью (медь, алюминий, золото, серебро) для создания межсоединений и контактных площадок.
• Резистивные: используются сплавы с высоким удельным сопротивлением, такие как нихром, РС-сплавы.
• Диэлектрические: слои диоксида кремния, нитрида кремния или нитрида алюминия, которые служат изоляторами в конденсаторах и защищают нижележащие слои.
• Адгезионные (подслои): тонкие слои хрома, титана или ванадия, которые наносятся перед проводниками для улучшения их сцепления с керамической подложкой.